Epitaxial silicon carbide on a 6″ silicon wafer
Год(ы):
2014
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Lukyanov A.V. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
40
Выпуск издания:
1
Страницы издания:
36 - 39
ДОИ (doi):