Sequential structural characterization of layers in the GaN/AlN/SiC/Si(111) system by X-ray diffraction upon every growth stage
Год(ы):
2013
Авторы:
Ratnikov V.V. , Kalmykov A.E. , Myasoedov A.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Sorokin L.M. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
39
Выпуск издания:
11
Страницы издания:
994 - 997
ДОИ (doi):