ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Anisotropy of the solid-state epitaxy of silicon carbide in silicon

Anisotropy of the solid-state epitaxy of silicon carbide in silicon

Год(ы):
2013
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
47
Выпуск издания:
12
Страницы издания:
1551 - 1555
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S1063782613120129
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84890059603&doi=10.1134%2fS1063782613120129&partnerID=40&md5=a41091c32cec2be5ebac41833c303151
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.