Mechanism of stress relaxation in (0001) InGaN/GaN via formation of V-shaped dislocation half-loops
Год(ы):
2013
Авторы:
Lobanova A.V. , д.ф.м.н. Колесникова А.Л. , Romanov A.E. , Karpov S.Yu. , Rudinsky M.E. , Yakovlev E.V. ,
Название издания:
Applied Physics Letters
Том издания:
103
Выпуск издания:
15 / 152106
ДОИ (doi):