Carrier mobility in undoped SiC layers grown on silicon by a new epitaxial technique
Год(ы):
2013
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Vcherashnii D.B. , Obukhov S.A. , Feoktistov N.A. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
39
Выпуск издания:
5
Страницы издания:
488 - 491
ДОИ (doi):