Epitaxy of gallium nitride in semi-polar direction on Si(210) substrate
Год(ы):
2013
Авторы:
Bessolov V.N. , Konenkova E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Nikolaev V.I. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , Shcheglov M.P. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
39
Выпуск издания:
3
Страницы издания:
274 - 276
ДОИ (doi):