ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

HVPE growth of GaN in the semipolar direction on planar Si(210)

Год(ы):
2013
Авторы:
Название издания:
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
Том издания:
10
Выпуск издания:
3
Страницы издания:
433 - 436
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.