ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. A new method for the synthesis of epitaxial layers of silicon carbide on silicon owing to formation of dilatation dipoles

A new method for the synthesis of epitaxial layers of silicon carbide on silicon owing to formation of dilatation dipoles

Год(ы):
2013
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Journal of Applied Physics
Том издания:
113
Выпуск издания:
2 / 024909
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1063/1.4773343
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84872701300&doi=10.1063%2f1.4773343&partnerID=40&md5=83809a8deab1ffb4bb387feee86d7eb8
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.