ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

A new method for the synthesis of epitaxial layers of silicon carbide on silicon owing to formation of dilatation dipoles

Год(ы):
2013
Название издания:
Journal of Applied Physics
Том издания:
113
Выпуск издания:
2 / 024909
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.