Transmission electron microscopy study of semi-polar gallium nitride layer grown by hydride-chloride vapour-phase epitaxy on SiC/(001)Si heterostructure
Год(ы):
2013
Авторы:
Sorokin L.M. , Kalmykov A.E. , Myasoedov A.V. , Bessolov V.N. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. ,
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
471
Выпуск издания:
1 / 012033