ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

Год(ы):
2019
Авторы:
к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
1410
Выпуск издания:
1 / 012003
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012003
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85078140618&doi=10.1088%2f1742-6596%2f1410%2f1%2f012003&partnerID=40&md5=28dfe18ded54ea754c4c702ad556d636
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.