ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Influence of Orientation of a Silicon Substrate with a Buffer Silicon Carbide Layer on Dielectric and Polar Properties of Aluminum Nitride Films

Год(ы):
2019
Авторы:
Sergeeva O.N. , Solnyshkin A.V. , Kiselev D.A. , Il’ina T.S. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , Kaptelov E.Y. , Pronin I.P. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
61
Выпуск издания:
12
Страницы издания:
2386 - 2391
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.