ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Electronic Structure of SiN Layers on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates

Год(ы):
2019
Авторы:
Timoshnev S.N. , Mizerov A.M. , Lapushkin M.N. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Bouravleuv A.D. ,
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
53
Выпуск издания:
14
Страницы издания:
1935 - 1938
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.