ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates

Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates

Год(ы):
2019
Авторы:
к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
45
Выпуск издания:
7
Страницы издания:
711 - 713
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S1063785019070277
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85071363125&doi=10.1134%2fS1063785019070277&partnerID=40&md5=2e34db3d8e66ac60811831771dda54e9
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.