Studying Evolution of the Ensemble of Micropores in a SiC/Si Structure during Its Growth by the Method of Atom Substitution
Год(ы):
2019
Авторы:
к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Kotlyar K.P. , Likhachev A.I. , Nashchekin A.V. , Soshnikov I.P. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
61
Выпуск издания:
3
Страницы издания:
299 - 306
ДОИ (doi):