ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Microscopic Description of the Mechanism of Transition between the 2H and 4H Polytypes of Silicon Carbide

Microscopic Description of the Mechanism of Transition between the 2H and 4H Polytypes of Silicon Carbide

Год(ы):
2019
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
61
Выпуск издания:
3
Страницы издания:
288 - 291
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S1063783419030181
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85064917531&doi=10.1134%2fS1063783419030181&partnerID=40&md5=231cc5693e1d7d9af6c6521c069431b7
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.