Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers
Год(ы):
2019
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mizerov A.M. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Nikitina E.V. , Timoshnev S.N. , Bouravlev A.D. , Sobolev M.S. ,
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
53
Выпуск издания:
2
Страницы издания:
180 - 187
ДОИ (doi):