Study of SiC buffer layer thickness influence on photovoltaic properties of n-GaN NWs/SiC/p-Si heterostructure
Год(ы):
2019
Авторы:
Shugurov K.Y. , Reznik R.R. , Mozharov A.M. , Kotlyar K.P. , Koval O.Y. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Fedorov V.V. , Shtrom I.V. , Bolshakov A.D. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mukhin I.S. , Cirlin G.E. ,
Название издания:
Materials Science in Semiconductor Processing
Том издания:
90
Страницы издания:
20 - 25
ДОИ (doi):