ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

The use of SiC/Si hybrid substrate for MBE growth of thick GaN layers

Год(ы):
2019
Авторы:
Reznik R. , Soshnikov I. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Talalaev V. , Cirlin G. ,
Название издания:
AIP Conference Proceedings
Том издания:
2064
Выпуск издания:
/ 040004
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.