Erratum: The mechanism of growth of GaN films by the HVPE method on SiC synthesized by the substitution of atoms on porous Si substrates (ECS Journal of Solid State Science and Technology (2018) 7 (P480) DOI: 10.1149/2.0191809jss)
Год(ы):
2019
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Kidalov V.V. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Dyadenchuk A.F. ,
Название издания:
ECS Journal of Solid State Science and Technology
Том издания:
8
Выпуск издания:
4
Страницы издания:
X1
ДОИ (doi):