MBE growth and Structural Properties of InAs and InGaAs Nanowires with Different Mole Fraction of In on Si and Strongly Mismatched SiC/Si(111) Substrates
Год(ы):
2018
Авторы:
Reznik R.R. , Kotlyar K.P. , Soshnikov I.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Cirlin G.E. ,
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
52
Выпуск издания:
5
Страницы издания:
651 - 653
ДОИ (doi):