ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Synchrotron-based photoemission study of electronic structure of the Cs/GaN ultrathin interface

Год(ы):
2018
Авторы:
Benemanskaya G.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Dementev P.A. , Lapushkin M.N. , Timoshnev S.N. , Smirnov D.V. ,
Название издания:
Solid State Communications
Том издания:
271
Страницы издания:
6 - 10
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.