ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

A new method for synthesis of epitaxial films of silicon carbide on sapphire substrates (-Al 2 O 3 )

Год(ы):
2018
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Feoktistov N.A. , Fedotov S.D. , Statsenko V.N. , Sokolov E.M. , Timoshenkov S.P. ,
Название издания:
Reviews on Advanced Materials Science
Том издания:
57
Выпуск издания:
1
Страницы издания:
82 - 96
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.