Properties of SiC films obtained by the method of substitution of atoms on porous silicon
Год(ы):
2018
Авторы:
Kidalov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Boiko M.E. , Sharkov M.D. , Dyadenchuk A.F. ,
Название издания:
ECS Journal of Solid State Science and Technology
Том издания:
7
Выпуск издания:
4
Страницы издания:
P158 - P160
ДОИ (doi):