The mechanism of growth of GaN films by the HVPE method on SiC synthesized by the substitution of atoms on porous Si substrates
Год(ы):
2018
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Kidalov V.V. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Dydenchuk A.F. ,
Название издания:
ECS Journal of Solid State Science and Technology
Том издания:
7
Выпуск издания:
9
Страницы издания:
P480 - P486
ДОИ (doi):