ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

MBE Growth and Optical Properties of GaN, InN, and A3B5 Nanowires on SiC/Si(111) Hybrid Substrate

Год(ы):
2018
Авторы:
Reznik R.R. , Kotlyar K.P. , Ilkiv I.V. , Khrebtov A.I. , Soshnikov I.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Nikitina E.V. , Cirlin G.E. ,
Название издания:
Advances in Condensed Matter Physics
Том издания:
2018
Выпуск издания:
/ 1040689
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.