Heteroepitaxy growth of SiC on the substrates of Porous Si method of substitution of atoms
Год(ы):
2018
Авторы:
Kidalov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Boiko M.E. , Sharkov M.D. , Dyadenchuk A.F. ,
Название издания:
Journal of Nano- and Electronic Physics
Том издания:
10
Выпуск издания:
3 / 03026
ДОИ (doi):