Growth of sic films by the method of substitution of atoms on porous si (100) and (111) substrates
Год(ы):
2018
Авторы:
Kidalov V.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Soshnikov I.P. , Boiko M.E. , Sharkov M.D. , Dyadenchuk A.F. ,
Название издания:
Materials Physics and Mechanics
Том издания:
36
Выпуск издания:
1
Страницы издания:
39 - 52
ДОИ (doi):