ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. GaN growth via HVPE on SiC/Si substrates: Growth mechanisms

GaN growth via HVPE on SiC/Si substrates: Growth mechanisms

Год(ы):
2017
Авторы:
к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. ,
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
917
Выпуск издания:
3 / 032028
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1088/1742-6596/917/3/032028
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85036474297&doi=10.1088%2f1742-6596%2f917%2f3%2f032028&partnerID=40&md5=c49ff757a81a01934aded1988f4fcd6e
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.