Effect of SiC buffer layer on GaN growth on Si via PA-MBE
Год(ы):
2017
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mizerov A.M. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Телятник Р.С. , Timoshnev S.N. ,
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
917
Выпуск издания:
3 / 032038