ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

MBE growth and optical properties of GaN layers on SiC/Si(111) hybrid substrate

Год(ы):
2017
Авторы:
Reznik R.R. , Kotlyar K.P. , Soshnikov I.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Nikitina E.V. , Cirlin G.E. ,
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
917
Выпуск издания:
3 / 032014
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.