ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

AlGaAs and AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates

Год(ы):
2017
Авторы:
Cirlin G.E. , Reznik R.R. , Shtrom I.V. , Khrebtov A.I. , Soshnikov I.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Leandro L. , Kasama T. , Akopian N. ,
Название издания:
Journal of Physics D: Applied Physics
Том издания:
50
Выпуск издания:
48 / 484003
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.