ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate

Год(ы):
2017
Авторы:
Reznik R.R. , Kotlyar K.P. , Shtrom I.V. , Soshnikov I.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Cirlin G.E. ,
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
51
Выпуск издания:
11
Страницы издания:
1472 - 1476
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.