Structural properties and parameters of epitaxial silicon carbide films, grown by atomic substitution on the high-resistance (111) oriented silicon
Год(ы):
2017
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Nussupov K.K. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Beisenkhanov N.B. , Bakranova D.I. ,
Название издания:
Superlattices and Microstructures
Том издания:
111
Страницы издания:
899 - 911
ДОИ (doi):