ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Metal organic vapor phase epitaxy growth of (Al)GaN heterostructures on SiC/Si(111) templates synthesized by topochemical method of atoms substitution

Год(ы):
2017
Авторы:
Rozhavskaya M.M. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Myasoedov A.V. , Troshkov S.I. , Sorokin L.M. , Brunkov P.N. , Baklanov A.V. , Телятник Р.С. , Juluri R.R. , Pedersen K. , Popok V.N. ,
Название издания:
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
Том издания:
214
Выпуск издания:
10 / 1700190
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.