Metal organic vapor phase epitaxy growth of (Al)GaN heterostructures on SiC/Si(111) templates synthesized by topochemical method of atoms substitution
Год(ы):
2017
Авторы:
Rozhavskaya M.M. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Myasoedov A.V. , Troshkov S.I. , Sorokin L.M. , Brunkov P.N. , Baklanov A.V. , Телятник Р.С. , Juluri R.R. , Pedersen K. , Popok V.N. ,
Название издания:
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
Том издания:
214
Выпуск издания:
10 / 1700190
ДОИ (doi):