ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Dependencies of photoelectric properties of SiC/Si structures grown by the method of atoms substitution on synthesis time

Dependencies of photoelectric properties of SiC/Si structures grown by the method of atoms substitution on synthesis time

Год(ы):
2017
Авторы:
к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A. ,
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
872
Выпуск издания:
1 / 012030
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1088/1742-6596/872/1/012030
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85025826262&doi=10.1088%2f1742-6596%2f872%2f1%2f012030&partnerID=40&md5=b5cc3add8ad37d2feb478915db54abc9
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.