ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. The Gorsky effect in the synthesis of silicon-carbide films from silicon by topochemical substitution of atoms

The Gorsky effect in the synthesis of silicon-carbide films from silicon by topochemical substitution of atoms

Год(ы):
2017
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
43
Выпуск издания:
7
Страницы издания:
631 - 634
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S1063785017070094
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85028065526&doi=10.1134%2fS1063785017070094&partnerID=40&md5=9a463fd4fab92bb06d0122153db3db2c
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.