Distribution of dislocations near the interface in AIN crystals grown on evaporated SiC substrates
Год(ы):
2017
Авторы:
Argunova T.S. , д.ф.м.н. Гуткин М.Ю. , Je J.H. , Kalmykov A.E. , Kazarova O.P. , Mokhov E.N. , к.ф.м.н. Микаелян К.Н. , Myasoedov A.V. , Sorokin L.M. , Shcherbachev K.D. ,
Название издания:
Crystals
Том издания:
7
Выпуск издания:
6 / 163
ДОИ (doi):