Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice
Год(ы):
2017
Авторы:
к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Feoktistov N.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Kalinina E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. ,
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
51
Выпуск издания:
5
Страницы издания:
621 - 627
ДОИ (doi):