X-ray reflectometry and simulation of the parameters of SiC epitaxial films on Si(111), grown by the atomic substitution method
Год(ы):
2017
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Nussupov K.K. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Beisenkhanov N.B. , Bakranova D.I. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
59
Выпуск издания:
5
Страницы издания:
1014 - 1026
ДОИ (doi):