Structural heteroepitaxy during topochemical transformation of silicon to silicon carbide
Год(ы):
2017
Авторы:
Egorov V.K. , Egorov E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
59
Выпуск издания:
4
Страницы издания:
773 - 779
ДОИ (doi):