Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates
Год(ы):
2017
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Bessolov V.N. , Konenkova E.V. , Panteleev V.N. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
59
Выпуск издания:
4
Страницы издания:
674 - 681
ДОИ (doi):