ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types

Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types

Год(ы):
2017
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. ,
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
51
Выпуск издания:
3
Страницы издания:
396 - 401
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S1063782617030149
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85015634212&doi=10.1134%2fS1063782617030149&partnerID=40&md5=6b9170b64d4e966de2be68b444818921
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.