ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate

Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate

Год(ы):
2017
Авторы:
к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. ,
Название издания:
Journal of Physics and Chemistry of Solids
Том издания:
102
Страницы издания:
151 - 156
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2016.11.004
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85007242251&doi=10.1016%2fj.jpcs.2016.11.004&partnerID=40&md5=cf2b81d0778a6303939416a63346b022
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.