ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Epitaxial growth of cadmium telluride films on silicon with a buffer silicon carbide layer

Год(ы):
2017
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
59
Выпуск издания:
2
Страницы издания:
399 - 402
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.