Growth of epitaxial SiC layer on Si (100) surface of n-and p-type of conductivity by the atoms substitution method
Год(ы):
2017
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Soshnikov I.P. ,
Название издания:
Reviews on Advanced Materials Science
Том издания:
52
Выпуск издания:
1-2
Страницы издания:
29 - 42