ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Thermal and lattice misfit stress relaxation in growing AIN crystal with simultaneous evaporation of SiC substrate

Год(ы):
2017
Авторы:
Argunova T.S. , д.ф.м.н. Гуткин М.Ю. , Shcherbachev K.D. , Nagalyuk S.S. , Kazarova O.P. , Mokhov E.N. , Je J.H. ,
Название издания:
Materials Science Forum
Том издания:
897 MSF
Страницы издания:
711 - 714
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.