ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Semipolar AlN and GaN on Si(100): HVPE technology and layer properties

Год(ы):
2017
Авторы:
Bessolov V. , Kalmykov A. , Konenkova E. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Myasoedov A. , Poletaev N. , Rodin S. ,
Название издания:
Journal of Crystal Growth
Том издания:
457
Страницы издания:
202 - 206
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.