ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates

Год(ы):
2021
Авторы:
Cherkashin N.A. , Sakharov A.V. , Nikolaev A.E. , Lundin V.V. , Usov S.O. , Ustinov V.M. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Tsatsul’nikov A.F. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
47
Выпуск издания:
10
Страницы издания:
753 - 756
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.