ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Formation of Hexagonal Ge Stripes on the Side Facets of AlGaAs Nanowires: Implications for Near-Infrared Detectors

Год(ы):
2021
Авторы:
Ilkiv I.V. , Kotlyar K.P. , Kirilenko D.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Soshnikov I.P. , Mikushev S.V. , Dubrovskii V.G. , Cirlin G.E. ,
Название издания:
ACS Applied Nano Materials
Том издания:
4
Выпуск издания:
7
Страницы издания:
7289 - 7294
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.