ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Nanoindentation of AlN, GaN, and AlGaN films grown by HVPE on SiC/Si hybrid substrates

Nanoindentation of AlN, GaN, and AlGaN films grown by HVPE on SiC/Si hybrid substrates

Год(ы):
2021
Авторы:
к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. ,
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
1954
Выпуск издания:
1 / 012009
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1954/1/012009
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85109353051&doi=10.1088%2f1742-6596%2f1954%2f1%2f012009&partnerID=40&md5=b5b0d0806f3682e11e83fb13e18e6ae2
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.